Patent

Home > Publications > Patent

  • 4 차아지 펌핑 효율을 유지하는 승압 전압 발생 회로
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 삼성전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : 10-585144
    Filing
    /Issue Date
    : 2006-05-24
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 3 온칩 바이패스 캐패시터 및 그 제조방법
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 삼성전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : 10-568450
    Filing
    /Issue Date
    : 01/04/2006
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 2 Method for Fabricating Single Electron Transistor
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 현대전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : US 6335245
    Filing
    /Issue Date
    : 02/01/2002
    Nation of the
    Application
    : 미국
  • 1 Method for Fabricating Single Electron Transistor
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 현대전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : US 6211013
    Filing
    /Issue Date
    : 04/04/2002
    Nation of the
    Application
    : 미국
  Patent Title Applicant Application
/Resistration		 Application
/Patent Number		 Filing
/Issue Date		 Nation of the
Application
4 공동발명자 차아지 펌핑 효율을 유지하는 승압 전압 발생 회로 삼성전자(주) 등록 10-585144 2006-05-24 대한민국
3 공동발명자 온칩 바이패스 캐패시터 및 그 제조방법 삼성전자(주) 등록 10-568450 01/04/2006 대한민국
2 공동발명자 Method for Fabricating Single Electron Transistor 현대전자(주) 등록 US 6335245 02/01/2002 미국
1 공동발명자 Method for Fabricating Single Electron Transistor 현대전자(주) 등록 US 6211013 04/04/2002 미국
Prev1234
개인정보 처리방침