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  • 7 비정질 반도체 TFT의 전기적 특성을 산출하는 방법 및 장치 (OCPM)
    Patent
    : 박재철,김대환,허지현,김창정
    Applicant
    : 삼성전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 출원
    Application
    /Patent Number
    : 10-2009-0053494
    Filing
    /Issue Date
    : 2009-06-16
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 6 On-chip Bypass Capacitor and Method of Manufacturing the Same
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 삼성전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : US 0063134
    Filing
    /Issue Date
    : 2007-02-13
    Nation of the
    Application
    : 미국
  • 5 내부 전압 발생 회로
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 삼성전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : 10-629258
    Filing
    /Issue Date
    : 2006-09-21
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 4 차아지 펌핑 효율을 유지하는 승압 전압 발생 회로
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 삼성전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : 10-585144
    Filing
    /Issue Date
    : 2006-05-24
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 3 온칩 바이패스 캐패시터 및 그 제조방법
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 삼성전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : 10-568450
    Filing
    /Issue Date
    : 01/04/2006
    Nation of the
    Application
    : 대한민국
  • 2 Method for Fabricating Single Electron Transistor
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 현대전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : US 6335245
    Filing
    /Issue Date
    : 02/01/2002
    Nation of the
    Application
    : 미국
  • 1 Method for Fabricating Single Electron Transistor
    Patent
    : 공동발명자
    Applicant
    : 현대전자(주)
    Application
    /Resistration
    : 등록
    Application
    /Patent Number
    : US 6211013
    Filing
    /Issue Date
    : 04/04/2002
    Nation of the
    Application
    : 미국
  Patent Title Applicant Application
/Resistration
Application
/Patent Number
Filing
/Issue Date
Nation of the
Application
7 박재철,김대환,허지현,김창정 비정질 반도체 TFT의 전기적 특성을 산출하는 방법 및 장치 (OCPM) 삼성전자(주) 출원 10-2009-0053494 2009-06-16 대한민국
6 공동발명자 On-chip Bypass Capacitor and Method of Manufacturing the Same 삼성전자(주) 등록 US 0063134 2007-02-13 미국
5 공동발명자 내부 전압 발생 회로 삼성전자(주) 등록 10-629258 2006-09-21 대한민국
4 공동발명자 차아지 펌핑 효율을 유지하는 승압 전압 발생 회로 삼성전자(주) 등록 10-585144 2006-05-24 대한민국
3 공동발명자 온칩 바이패스 캐패시터 및 그 제조방법 삼성전자(주) 등록 10-568450 01/04/2006 대한민국
2 공동발명자 Method for Fabricating Single Electron Transistor 현대전자(주) 등록 US 6335245 02/01/2002 미국
1 공동발명자 Method for Fabricating Single Electron Transistor 현대전자(주) 등록 US 6211013 04/04/2002 미국