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다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 제조 방법 및 이를 이용한 노어 타입 메모리 아키텍쳐
- Patent
- : 김동명,김대환,이순영
- Applicant
- : 국민대학교산학협력단
- Application
/Resistration - : 등록
- Application
/Patent Number - : 10-0956798
- Filing
/Issue Date - : 2010-04-30
- Nation of the
Application - : 대한민국
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다중비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 및 이의 구동 방법
- Patent
- : 김동명,김대환,이순영
- Applicant
- : 국민대학교산학협력단
- Application
/Resistration - : 등록
- Application
/Patent Number - : 10-0942240
- Filing
/Issue Date - : 2010-02-05
- Nation of the
Application - : 대한민국
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다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 제조 방법 및 이를 이용한 노어 타입 메모리 아키텍처
- Patent
- : 김동명,김대환,이순영
- Applicant
- : 국민대학교산학협력단
- Application
/Resistration - : 출원
- Application
/Patent Number - : 10-2009-0064187
- Filing
/Issue Date - : 2009-07-14
- Nation of the
Application - : 대한민국
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다중비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 및 이의 구동 방법
- Patent
- : 김동명,김대환,이순영
- Applicant
- : 국민대학교산학협력단
- Application
/Resistration - : 출원
- Application
/Patent Number - : 10-2009-0064183
- Filing
/Issue Date - : 2009-07-14
- Nation of the
Application - : 대한민국
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비정질 반도체 TFT의 전기적 특성을 산출하는 방법 및 장치 (OCPM)
- Patent
- : 박재철,김대환,허지현,김창정
- Applicant
- : 삼성전자(주)
- Application
/Resistration - : 출원
- Application
/Patent Number - : 10-2009-0053494
- Filing
/Issue Date - : 2009-06-16
- Nation of the
Application - : 대한민국
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On-chip Bypass Capacitor and Method of Manufacturing the Same
- Patent
- : 공동발명자
- Applicant
- : 삼성전자(주)
- Application
/Resistration - : 등록
- Application
/Patent Number - : US 0063134
- Filing
/Issue Date - : 2007-02-13
- Nation of the
Application - : 미국
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내부 전압 발생 회로
- Patent
- : 공동발명자
- Applicant
- : 삼성전자(주)
- Application
/Resistration - : 등록
- Application
/Patent Number - : 10-629258
- Filing
/Issue Date - : 2006-09-21
- Nation of the
Application - : 대한민국
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차아지 펌핑 효율을 유지하는 승압 전압 발생 회로
- Patent
- : 공동발명자
- Applicant
- : 삼성전자(주)
- Application
/Resistration - : 등록
- Application
/Patent Number - : 10-585144
- Filing
/Issue Date - : 2006-05-24
- Nation of the
Application - : 대한민국
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3
온칩 바이패스 캐패시터 및 그 제조방법
- Patent
- : 공동발명자
- Applicant
- : 삼성전자(주)
- Application
/Resistration - : 등록
- Application
/Patent Number - : 10-568450
- Filing
/Issue Date - : 01/04/2006
- Nation of the
Application - : 대한민국
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2
Method for Fabricating Single Electron Transistor
- Patent
- : 공동발명자
- Applicant
- : 현대전자(주)
- Application
/Resistration - : 등록
- Application
/Patent Number - : US 6335245
- Filing
/Issue Date - : 02/01/2002
- Nation of the
Application - : 미국
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1
Method for Fabricating Single Electron Transistor
- Patent
- : 공동발명자
- Applicant
- : 현대전자(주)
- Application
/Resistration - : 등록
- Application
/Patent Number - : US 6211013
- Filing
/Issue Date - : 04/04/2002
- Nation of the
Application - : 미국
| Patent | Title | Applicant | Application /Resistration |
Application /Patent Number |
Filing /Issue Date |
Nation of the Application |
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| 11 | 김동명,김대환,이순영 | 다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 제조 방법 및 이를 이용한 노어 타입 메모리 아키텍쳐 | 국민대학교산학협력단 | 등록 | 10-0956798 | 2010-04-30 | 대한민국 |
| 10 | 김동명,김대환,이순영 | 다중비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 및 이의 구동 방법 | 국민대학교산학협력단 | 등록 | 10-0942240 | 2010-02-05 | 대한민국 |
| 9 | 김동명,김대환,이순영 | 다중 비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 제조 방법 및 이를 이용한 노어 타입 메모리 아키텍처 | 국민대학교산학협력단 | 출원 | 10-2009-0064187 | 2009-07-14 | 대한민국 |
| 8 | 김동명,김대환,이순영 | 다중비트 저장이 가능한 비휘발성 메모리 셀 및 이의 구동 방법 | 국민대학교산학협력단 | 출원 | 10-2009-0064183 | 2009-07-14 | 대한민국 |
| 7 | 박재철,김대환,허지현,김창정 | 비정질 반도체 TFT의 전기적 특성을 산출하는 방법 및 장치 (OCPM) | 삼성전자(주) | 출원 | 10-2009-0053494 | 2009-06-16 | 대한민국 |
| 6 | 공동발명자 | On-chip Bypass Capacitor and Method of Manufacturing the Same | 삼성전자(주) | 등록 | US 0063134 | 2007-02-13 | 미국 |
| 5 | 공동발명자 | 내부 전압 발생 회로 | 삼성전자(주) | 등록 | 10-629258 | 2006-09-21 | 대한민국 |
| 4 | 공동발명자 | 차아지 펌핑 효율을 유지하는 승압 전압 발생 회로 | 삼성전자(주) | 등록 | 10-585144 | 2006-05-24 | 대한민국 |
| 3 | 공동발명자 | 온칩 바이패스 캐패시터 및 그 제조방법 | 삼성전자(주) | 등록 | 10-568450 | 01/04/2006 | 대한민국 |
| 2 | 공동발명자 | Method for Fabricating Single Electron Transistor | 현대전자(주) | 등록 | US 6335245 | 02/01/2002 | 미국 |
| 1 | 공동발명자 | Method for Fabricating Single Electron Transistor | 현대전자(주) | 등록 | US 6211013 | 04/04/2002 | 미국 |
S!LK / TEL : 02-910-5350 / FAX : 02-910-4449
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