-
7
비정질 반도체 TFT의 전기적 특성을 산출하는 방법 및 장치 (OCPM)
- Patent
- : 박재철,김대환,허지현,김창정
- Applicant
- : 삼성전자(주)
- Application
/Resistration
- : 출원
- Application
/Patent Number
- : 10-2009-0053494
- Filing
/Issue Date
- : 2009-06-16
- Nation of the
Application
- : 대한민국
-
6
On-chip Bypass Capacitor and Method of Manufacturing the Same
- Patent
- : 공동발명자
- Applicant
- : 삼성전자(주)
- Application
/Resistration
- : 등록
- Application
/Patent Number
- : US 0063134
- Filing
/Issue Date
- : 2007-02-13
- Nation of the
Application
- : 미국
-
5
내부 전압 발생 회로
- Patent
- : 공동발명자
- Applicant
- : 삼성전자(주)
- Application
/Resistration
- : 등록
- Application
/Patent Number
- : 10-629258
- Filing
/Issue Date
- : 2006-09-21
- Nation of the
Application
- : 대한민국
-
4
차아지 펌핑 효율을 유지하는 승압 전압 발생 회로
- Patent
- : 공동발명자
- Applicant
- : 삼성전자(주)
- Application
/Resistration
- : 등록
- Application
/Patent Number
- : 10-585144
- Filing
/Issue Date
- : 2006-05-24
- Nation of the
Application
- : 대한민국
-
3
온칩 바이패스 캐패시터 및 그 제조방법
- Patent
- : 공동발명자
- Applicant
- : 삼성전자(주)
- Application
/Resistration
- : 등록
- Application
/Patent Number
- : 10-568450
- Filing
/Issue Date
- : 01/04/2006
- Nation of the
Application
- : 대한민국
-
2
Method for Fabricating Single Electron Transistor
- Patent
- : 공동발명자
- Applicant
- : 현대전자(주)
- Application
/Resistration
- : 등록
- Application
/Patent Number
- : US 6335245
- Filing
/Issue Date
- : 02/01/2002
- Nation of the
Application
- : 미국
-
1
Method for Fabricating Single Electron Transistor
- Patent
- : 공동발명자
- Applicant
- : 현대전자(주)
- Application
/Resistration
- : 등록
- Application
/Patent Number
- : US 6211013
- Filing
/Issue Date
- : 04/04/2002
- Nation of the
Application
- : 미국
|
Patent |
Title |
Applicant |
Application /Resistration |
Application /Patent Number |
Filing /Issue Date |
Nation of the Application |
7 |
박재철,김대환,허지현,김창정 |
비정질 반도체 TFT의 전기적 특성을 산출하는 방법 및 장치 (OCPM) |
삼성전자(주) |
출원 |
10-2009-0053494 |
2009-06-16 |
대한민국 |
6 |
공동발명자 |
On-chip Bypass Capacitor and Method of Manufacturing the Same |
삼성전자(주) |
등록 |
US 0063134 |
2007-02-13 |
미국 |
5 |
공동발명자 |
내부 전압 발생 회로 |
삼성전자(주) |
등록 |
10-629258 |
2006-09-21 |
대한민국 |
4 |
공동발명자 |
차아지 펌핑 효율을 유지하는 승압 전압 발생 회로 |
삼성전자(주) |
등록 |
10-585144 |
2006-05-24 |
대한민국 |
3 |
공동발명자 |
온칩 바이패스 캐패시터 및 그 제조방법 |
삼성전자(주) |
등록 |
10-568450 |
01/04/2006 |
대한민국 |
2 |
공동발명자 |
Method for Fabricating Single Electron Transistor |
현대전자(주) |
등록 |
US 6335245 |
02/01/2002 |
미국 |
1 |
공동발명자 |
Method for Fabricating Single Electron Transistor |
현대전자(주) |
등록 |
US 6211013 |
04/04/2002 |
미국 |